摘要

研究了高能电子束辐照对聚酰亚胺薄膜(PI)试样电气性能的影响。实验发现高能电子束辐照后PI的介电常数减小,电导率增大,电损耗增大。利用原位聚合法把70纳米Al2O3粒子引入到PI薄膜中,对材料进行改性,实验发现改性后PI薄膜抗高能电子束辐射能力得到加强。

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