FinFET器件总剂量效应研究进展

作者：张峰源; 李博; 刘凡宇; 杨灿; 黄杨; 张旭; 罗家俊^*; 韩郑生

来源：微电子学, 2020, 50(06): 875-884.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.190753

• 总剂量效应
• 体硅FinFET器件
• SOI FinFET器件
• 新材料

全面综述鳍式场效应晶体管(FinFET)的总剂量效应,包括辐照期间外加偏置、器件的工艺参数、提高器件驱动能力的特殊工艺、源/漏掺杂类型以及不同栅介质材料和新沟道材料与FinFET总剂量效应的关系。对于小尺寸器件,绝缘体上硅(SOI)FinFET比体硅FinFET具有更强的抗总剂量能力,更适合于高性能抗辐照的集成电路设计。此外,一些新的栅介质材料和一些新的沟道材料的引入,如HfO2和Ge,可以进一步提高FinFET器件的抗总剂量能力。

• 单位
  中国科学院; 中国科学院大学; 中国科学院微电子研究所