纳米硅微晶对于Er离子掺杂的SiO_2薄膜的光致发光和电致发光的不同影响

作者：张俊杰; 孙甲明; 杨阳; 张新霞; 刘海旭; W.Skorupa; M.Helm

来源：材料科学与工程学报, 2009, 27(01): 135-138.

DOI：10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2009.01.030

• 铒
• 电致发光
• 光致发光
• 二氧化硅
• 纳米硅 Er
• electroluminescence
• photoluminescence
• Silicon dioxide
• nanocrystals

本文利用Er和硅离子共注入热氧化SiO2薄膜的方法制备出Er离子掺杂的含纳米硅微晶的SiO2发光薄膜,在此基础上制备出ITO/SiON/Si-rich SiO2:Er/Si MOS结构电致发光器件,比较研究了硅微晶密度的变化对于MOS结构的电致发光和光致发光特性的影响。随着纳米硅微晶的增多,Er离子在1.54μm处的红外光致发光显著增强,显示出纳米硅微晶对Er离子光致发光的敏化作用。相反,对于电致发光来说,增加纳米硅微晶数量的同时也增加了SiO2薄膜中的电子俘获陷阱,电子在纳米硅微晶之间的隧穿降低了过热电子的数量和平均能量,因而降低了碰撞激发Er离子产生的电致发光效率。

• 单位
  物理学院; 南开大学