本文分析了采用磁控溅射法在云母衬底外延生长Ni薄膜，结果表明，在不高于400℃时Ni薄膜可成功外延，Ni薄膜具有各向异性磁电阻效应，400℃制备的Ni薄膜各向异性磁电阻率达1.72%。此外，在曲率半径为10mm的条件下，经过104次弯曲循环后，各向异性磁电阻性能没有明显退化。
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