JLNT-FET和IMNT-FET中传导机制对电热特性影响研究

作者：刘先婷; 刘伟景^*; 李清华

来源：微电子学, 2023, 53(05): 910-916.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.230044

• 无结纳米管场效应晶体管
• 反转模式纳米管场效应晶体管
• 电热特性
• 自热效应
• 热载流子注入

无结纳米管场效应晶体管(JLNT-FET)和反转模式纳米管场效应晶体管(IMNT-FET)因具有较好的驱动能力和对短沟道效应(SCE)卓越的抑制能力而被关注，自热效应(SHE)作为影响其电热性能的关键问题而被广泛研究。文章基于TCAD数值仿真，通过对环境温度(TA)、接触热阻(Rtc)以及侧墙长度(LS)对体传导的JLNT-FET和表面传导的IMNT-FET的最大晶格温度(TLmax)、最大载流子温度(TCmax)、漏极电流(IDS)和栅极泄漏电流(IG)等器件参数影响的分析，对比研究了JLNT-FET和IMNT-FET中传导机制对电热特性的影响。结果表明，较高的TA、较大的Rtc及较小的LS,都会加剧器件的声子散射，导致严重的SHE。同时，由于传导机制的差异，体传导受界面散射和声子散射影响较小，JLNT-FET具有更好的电热特性。

• 单位
  深圳锐越微技术有限公司; 上海电力大学