抑制SiC MOSFET瞬态电压尖峰的改进驱动电路设计

作者：王文月; 牛萍娟

来源：科技创新与应用, 2021, 11(14): 21-27.

• 碳化硅金属氧化物半导体场效应管
• 电压尖峰
• 驱动电路

与硅器件相比,碳化硅金属氧化物半导体场效应管(SiC MOSFET)具有更高的开关频率与开关速度,使得传统驱动下SiC MOSFET受寄生参数影响电压尖峰问题更为严重。而现有抑制瞬态电压尖峰方法作用有限,往往会增加开关延时与开关损耗且控制程度复杂。因此文章结合有源箝位电路与注入栅极电流抑制电压尖峰的方法,提出了一种改进驱动电路。首先阐明SiC MOSFET瞬态电压尖峰产生原理。其次,在有源箝位电路与注入栅极电流抑制电压尖峰前提下,基于控制辅助三极管开通与关断,注入栅极电流思想,提出一种在栅源极增加三极管串联电容的改进驱动电路方法,并分析了其工作原理,给出了设计参数。最后,搭建了双脉冲测试平台,对抑制瞬态电压尖峰的改进驱动电路实用性及有效性进行了验证。

• 单位
  天津工业大学; 自动化学院