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摘要
针对三维集成电路中各层之间的I/O限制问题，提出了一种新型的三位碳纳米管TSV。首先利用HFSS软件对三位CNT TSV各寄生参数进行了数值计算，与基于理论的数值计算相比，具有较高的精度，各寄生参数的误差大小在3%以内。在ADS中搭建了该结构的等效电路模型，并仿真得出了它的S参数，与HFSS的S参数仿真结果相比误差在1.2%以内。然后基于三位CNT TSV的概念，提出了新的差分型多位CNT TSV。与传统GSSG型TSV以及两种新型双位TSV(G-SS-G型和GS-SG型)相比，所提出的差分型多位CNT TSV节省了芯片面积，提高了集成密度，且具有优越的抗干扰能力和更好的时延性能。最后，对所提出TSV结构进行时域眼图仿真，表明新结构具有良好的信号完整性。
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