SiGe CMOS结构模拟分析

作者：王伟; 姜涛; 黄大鹏; 胡辉勇; 戴显英; 张鹤鸣

来源：电子科技, 2004, (4): 42-45,49.

DOI：10.3969/j.issn.1007-7820.2004.04.012

• SiGe CM0S
• 二维模拟
• 反相器

提出一种新的SiGe CMOS结构,用Medici软件对该结构进行二维模拟,分析应变SiGe层、弛豫SiGe层中Ge组份,δ层掺杂浓度以及Si"帽"层厚度等结构参数对SiGe CMOS电学性能的影响.最后,给出该结构组成的反相器传输特性模拟结果.

• 单位
  西安电子科技大学