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摘要
本发明公开了宽带高效的二维光子晶体LED倒装阵列芯片及其制备方法。该二维光子晶体LED阵列芯片单元为倒装结构,在透明衬底上由X行Y列的发光单元组成,其中X和Y的取值为大于4的整数；每个发光单元为结构相同的倒装结构,都包括GaN外延层、金属反射镜层、保护层、钝化层、n-电极和p-电极；从图形化处理后GaN外延片表面的p-GaN层到n-GaN层以及SOG形成二维光子晶体结构,实现对光子寿命和行为的调控,进而提高LED芯片的调制带宽和光萃取效率。采用深刻蚀隔离槽将单元,实现阵列单元之间的独立,降低阵列单元之间的光电串扰,具有高光效、高带宽和高集成度的优点。
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