沉积电位对电沉积ZnS薄膜的影响

作者：夏冬林; 雷盼; 石正忠; 徐俊

来源：影像科学与光化学, 2012, (02): 129-133.

• ZnS薄膜
• 电沉积
• 透过率
• 光学带隙 ZnS thin film
• electrodeposition
• transmittance
• optical bandgap

采用电沉积方法,在不同沉积电位条件下,在氧化锡铟(ITO)导电玻璃上沉积制备了ZnS薄膜,利用XRD、SEM和UV-VIS测试技术对在不同沉积电位所制备薄膜的晶相结构、表面微观形貌和光学性能进行了表征.研究结果表明:沉积电位在1.5V—1.7V范围内制备的ZnS薄膜呈非晶态,其可见光透过率从60%降低到20%,薄膜的光学带隙约为3.97eV.在沉积电位为2.0V条件下所沉积薄膜为ZnS结晶相和金属Zn混合相,薄膜透过率显著降低.

• 单位
  武汉理工大学; 硅酸盐建筑材料国家重点实验室