一种氟等离子体注入终端氧化镓功率二极管及其制备方法

作者：何云龙; 马晓华; 郑雪峰; 陆小力; 张方; 洪悦华; 李佳宁; 郝跃

来源：2021-09-13, 中国, CN202111070357.3.

本发明涉及一种氟等离子体注入终端氧化镓功率二极管及其制备方法,该二极管包括：自下而上依次层叠设置的阴极、衬底层、漂移层和阳极,其中,所述漂移层内间隔设置有若干氟等离子体注入区；所述衬底层和所述漂移层均为Si或Sn掺杂的β-Ga-(2)O-(3)材料,且所述漂移层的掺杂浓度低于所述衬底层的掺杂浓度。本发明氟等离子体注入终端氧化镓功率二极管,通过在漂移层进行氟等离子体注入形成氟等离子体注入区,以在漂移层形成高阻区域,该高阻区域可以调制器件的电场分布,并且可以降低阳极边缘处的电场峰值,有效提升器件的击穿电压。

• 单位
  西安电子科技大学