改善SiC MOSFET开关特性的有源驱动电路研究

作者：卢乙; 李先允^*; 王书征; 何鸿天; 周子涵

来源：电气传动, 2021, 51(16): 21-26.

DOI：10.19457/j.1001-2095.dqcd21692

• 碳化硅金属氧化物半导体场效应管(SiC MOSFET)
• 有源驱动电路
• LTspice仿真软件
• 过冲
• 振荡

针对碳化硅金属氧化物半导体场效应管(SiC MOSFET)开关过程中存在的电流、电压过冲和振荡问题,首先对SiC MOSFET的开关过程进行详细分析,得出电流、电压过冲和震荡的产生机理,然后根据影响过冲和振荡的关键因素,分别提出了电流注入型、变电压型和变电阻型有源驱动电路,并通过LTspice仿真软件验证了所提有源驱动电路的有效性,最后搭建实验平台对所提变电压型有源驱动电路进行实验验证。实验结果表明,所提变电压型有源驱动电路能够在牺牲较小开关损耗的条件下,有效抑制SiC MOSFET开关过程中的电流、电压过冲和振荡。

• 单位
  南京工程学院