在SIMOX SOI材料外延生长硅层时,存在电阻率较高的过渡层。对衬底研究表明,SOI层呈现高阻。采取不同温度对衬底进行退火,结果表明:合适的温度退火可以明显降低SOI层电阻率,对外延硅层后的SOI材料进行退火,也可以部分降低外延层电阻率,减少外延层中高阻层厚度。
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