AlGaN量子结构及其紫外光源应用

作者：李金钗; 高娜; 林伟; 蔡端俊; 黄凯; 李书平; 康俊勇^*

来源：人工晶体学报, 2020, 49(11): 2068-2078.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.20201103.004

• AlGaN
• 量子结构
• 紫外光源

AlGaN量子结构是实现高光效、高稳定紫外固态光源的核心。近年来,AlGaN半导体材料及其紫外光源应用研究取得了较大的进展。然而,AlGaN材料的生长制备只能在非平衡条件下完成,涉及的生长动力学问题十分复杂,制约了量子阱等结构品质的提高;材料带隙宽,p型掺杂难度大,激活效率低,限制了载流子注入;光学各向异性显著,不利于光从器件正面出射。因此,AlGaN基紫外、特别是深紫外波段器件性能还有待提高。本文梳理了AlGaN量子结构与紫外光源效率之间的关系,详细阐述和总结了有源区量子结构、p型掺杂量子结构以及光学各向异性调控等方面所面临的挑战及近年来的重要研究进展。