双极晶体管发射极电阻的提取方法及应用研究

作者：邱盛; 王文捷; 王健安; 张培健

来源：微电子学, 2019, 49(02): 164-167.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.180533

• 多晶硅发射极
• 发射极电阻
• 总剂量辐照
• 电流增益退化

以双多晶自对准互补双极器件中NPN双极晶体管为例,阐述了发射极电阻提取的基本原理和数学方法。在大电流情况下,NPN管的基极电流偏离理想电流是发射极串联电阻效应引起的。该提取方法综合考虑了辐照过程中NPN管的电流增益退化特性,分析了总剂量辐照效应对NPN管的损伤机理和模式。该提取方法适用于多晶硅发射极器件,也适用于SiGe HBT器件。

• 单位
  中国电子科技集团公司第二十四研究所