我们从理论上研究了单层半导体纳米结构（SLSN）中由Rashba型自旋-轨道耦合（SOC）引起的电子自旋极化效应. 由于Rashba型SOC，相当强的电子自旋极化效应出现在该SLSN结构中. 自旋极化率与电子的能量和平面内波矢有关，尤其是，其可通过外加电场或半导体层厚度进行调控. 因此，该SLSN结构可作为半导体自旋电子器件应用中的可控电子自旋过滤器.
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