IWO缓冲层对MOCVD-ZnO:B薄膜性能的影响研究

作者：闫聪博; 陈新亮; 陈雪莲; 孙建; 张德坤; 魏长春; 张晓丹; 赵颖; 耿新华

来源：光电子-激光, 2012, (04): 697-702.

DOI：10.16136/j.joel.2012.04.020

• MOCVD
• ZnO:B薄膜
• 透明导电氧化物(TCO)
• 薄膜太阳电池
• 电子束蒸发
• 掺W的In2O3(In2O3:W
• IWO)薄膜
• 绒度 MOCVD
• ZnO:B thin films
• transparent conductive oxide(TCO)
• thin film solar cell
• electron beam evaporation
• In2O3:W(IWO) thin film
• haze

金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术生长的绒面ZnO透明导电(ZnO-TCO)薄膜应用于Si基薄膜太阳电池上能够形成"陷光结构",以提高薄膜太阳电池效率和稳定性。本文将电子束反应蒸发技术生长的掺W的In2O3(In2O3:W,(IWO)薄膜作为缓冲层,应用于MOCVD-ZnO:B薄膜与玻璃之间,可促进ZnO:B薄膜的生长,并且有效提升薄膜的光散射特性。当IWO缓冲层厚度为20nm时,获得的IWO/ZnO:B薄膜的电阻率为2.07×10-3Ω.cm,迁移率为20.9cm2.V-1.s-1,载流子浓度为1.44×1020 cm-3;同时,薄膜具有的透过率大于85%,且在550nm处绒度较ZnO:...

• 单位
  南开大学