为了提高石墨烯基器件的光电响应性能,采用化学气相沉积法制备单层石墨烯,制备石墨烯/二氧化硅/硅结构器件;采用紫外-可见分光光度计、光学显微镜以及拉曼光谱对石墨烯薄膜进行材料特性表征,测试和分析不同结构参数的石墨烯器件在光辐照下的光电特性。研究结果表明:当甲烷流量为30 sccm,反应温度为1 030℃,退火时间为20 min时制备单层石墨烯,并将其转移到50 nm二氧化硅及硅基底上形成器件,在偏压为5 V时器件的响应度最高可达0.37 A·W-1,表现出优异的光电特性。
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