本发明涉及一种基于氮化镓的宽摆幅双向限幅电路的制备方法,包括制作PIN二极管、肖特基二极管以及GaN基器件,并将PIN二极管和肖特基二极管并联后通过金属互联工艺与GaN基器件连接,从而完成基于氮化镓的宽摆幅双向限幅电路的制备。本发明实施例,通过采用将PIN二极管和肖特基二极管并联再与GaN基器件的栅极连接的电路,可以实现电路的自我保护,同时满足器件能够承受正反向大功率信号的冲击,实现器件的双向保护。
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