科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
本发明公开了一种具有SiO-2阻挡层的垂直结构Ga-2O-3晶体管及制备方法,主要解决现有垂直型氧化镓场效应晶体管没有阻挡源漏间漏电结构,导致器件性能和可靠性差问题。其自下而上包括漏电极、氧化镓衬底层、氧化镓外延层、栅氧化层和栅电极；外延层内部外围设有SiO-2电流阻挡层,其中心设有垂直重掺杂导电通道,其上方设有通过ALD生长的n型导电层,该n型导电层的上方设有源电极。本发明由于设有垂直重掺杂导电通道,相对于现有结构,器件的导通电阻得到了降低；且由于外延层内部外围设置SiO-2阻挡层,相对于现有结构,器件源漏间漏电得到了有效的降低,同时提高了器件的击穿电压,可用于大功率集成电路的制备。
- 单位
