FeSiCr/SiO2软磁复合材料的制备及磁性能研究

作者：任劲松; 李勃; 王进; 庞新峰; 郭海

来源：电子元件与材料, 2018, 37(01): 51-56.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2018.01.010

• FeSiCr软磁合金
• 正硅酸乙酯
• 电阻率
• 磁导率
• 功率损耗
• 品质因数

以正硅酸乙酯(TEOS)为硅源,聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为偶联剂,采用溶胶-凝胶法,在Fe Si Cr软磁合金表面包覆上SiO2壳层。对包覆粉末进行压制成型和退火热处理,制备了高频下低损耗的Fe Si Cr/SiO2软磁复合材料。通过XRD、FTIR、XPS、SEM等手段对包覆粉末的相结构、成分及表面微结构进行表征,通过四探针电阻仪、B-H分析仪等对复合材料电阻率、磁导率、功率损耗、品质因数等性能参数进行研究。结果表明:通过SiO2绝缘包覆处理可大幅度提高FeSiCr软磁合金电阻率,降低高频下功率损耗,提高材料品质因数;随着TEOS添加量提高,包覆效果及材料性能呈现先提升后恶化的趋势,添加量为12 m L时,软磁复合材料综合性能最佳。

• 单位
  深圳顺络电子股份有限公司; 清华大学深圳研究生院