B掺杂p型SiGe合金的制备与热电性能表征

作者：王月月; 胡美华^*; 毕宁; 韩鹏举; 周绪彪; 李尚升

来源：稀有金属材料与工程, 2022, 51(08): 2942-2946.

• 热电材料
• 硅锗合金
• 放电等离子烧结
• 热导率

以一定化学计量比均匀混合的Si、Ge、B混合粉末为原材料,使用放电等离子烧结(SPS)一步法合金化制备了p型Si80Ge20Bx(x=0.5,1.0,2.0)合金热电材料,并对样品的组成、微观形貌、热电性能进行了表征与分析。结果表明,放电等离子烧结过程实现原位合金化并烧结为块体材料。随着B掺杂量的增加,电导率明显提升,热导率显著下降,当温度为950K时,热导率为1.79W/(m·K)。在1050K时,ZT值达到了0.899。球磨和掺杂的协同作用使得SiGe合金基体内产生不同类型的缺陷特征而散射不同波长的声子,导致硅锗合金热导率的降低。

• 单位
  河南理工大学; 化学化工学院