科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
采用原子层沉积技术制备 Al2O3 薄膜作为 In Sb 材料介电层，制备了 MIS 器件，研究了金属化后不同退火温度对界面特性的影响。利用 C-V 测试表征了 MIS(metal-insulator-semiconductor)器件的界面特性，结果表明 Al2O3 介电层引入了表面固定正电荷，200℃和 300℃退火处理可有效减小慢界面态密度，利用 Terman 法得到了禁带界面态密度分布，表明 200℃退火可使禁带中央和导带附近的界面态密度显著减小。同时文章对 C-V 曲线滞回的原因进行了分析，认为 Al2O3 介电层中离界面较近的负体陷阱电荷是主要影响因素。实验证明了 200℃～300℃的退火处理可有效改善 In Sb/Al2O3界面质量。
-
单位昆明物理研究所
