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摘要
氧化镓晶体具有高禁带宽度、耐高压、短吸收截止边等优点，是最具代表性的第四代半导体材料之一，具有广阔地应用前景。氧化镓晶体抛光过程易出现微裂纹、划痕等表面缺陷，难以实现高质量表面加工，无法满足相应器件的使用要求，且现有的氧化镓晶体抛光工艺复杂、效率低。固结磨料抛光技术具有磨粒分布及切深可控、磨粒利用率高等优点。采用固结磨料抛光氧化镓晶体，探究抛光垫基体硬度、磨料浓度和抛光液添加剂对被抛光材料去除率和表面质量的影响。结果表明：当抛光垫基体硬度适中为Ⅱ、金刚石磨粒浓度为100%、抛光液添加剂为草酸时，固结磨料抛光氧化镓晶体的材料去除率为68 nm/min，表面粗糙度Sa为3.17 nm。采用固结磨料抛光技术可以实现氧化镓晶体的高效高质量抛光。
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单位南京航空航天大学; 成都飞机工业(集团)有限责任公司; 成都飞机工业（集团）有限责任公司
