通过观察容性耦合等离子体放电中CF4等离子体光谱来对电子温度和电子密度进行诊断与分析。结果表明:在CF4等离子体中,电源功率小于180 W时,电子温度随气压的增大先升高后降低,随着功率的增大而略升高;电子密度随着气体压强增大而始终减小,随功率的增大而增大;在CF4+O2混合情况下电子温度随着O2和CF4流量比的增大而降低。
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