摘要
采用真空熔融淬火结合等离子活化烧结工艺(PAS)制备SiC/β-Zn4Sb3复合热电材料。对材料的相组成和显微结构分别进行X射线衍射分析和扫描电子显微镜观察,并在300700 K范围内测量了电阻率、Seebeck系数、热导率。结果表明,复合材料由SiC和β-Zn4Sb3两相组成,PAS烧结过程中,β-Zn4Sb3并没有发生相变,SiC纳米粒子在β-Zn4Sb3基体中随机分布。随着纳米SiC含量增加,复合材料的电阻率逐渐增加,Seebeck系数先增加后降低。当SiC含量为1.0%(质量分数)、673 K时,复合材料的热电优值(ZT)达到1.03,与单相β-Zn4Sb3相比提高了37%。
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