磁控溅射制备ITO薄膜光电性能的研究

作者：马卫红; 蔡长龙

来源：真空, 2011, (06): 18-20.

DOI：10.13385/j.cnki.vacuum.2011.06.013

• 直流磁控溅射
• ITO薄膜
• 工艺参数
• 光电特性 DC magnetron sputtering
• ITO thin film
• process parameters
• photoelectric properties

采用直流磁控溅射方法在玻璃基底上制备了ITO薄膜。分别用分光光度计和四探针仪测试了所制备ITO薄膜在可见光区域内的透过率和电阻率,研究了溅射气压、氧氩流量比和溅射功率三个工艺参数对ITO薄膜光电性能的影响。研究结果表明,制备ITO薄膜的最佳工艺参数为:溅射气压0.6 Pa,氧氩流量比1:40,溅射功率108 W。采用此工艺参数制备的ITO薄膜在可见光区平均透过率为81.18%,薄膜电阻率为8.9197×10-3Ω.cm。

• 单位
  西安工业大学