高质量Ni(111)/石墨烯薄膜制备及其磁阻传感器仿真研究

作者：吴瑞楠; 潘孟春; 胡悦国; 陈棣湘; 胡佳飞; 邱伟成^*

来源：传感器与微系统, 2023, 42(07): 15-27.

DOI：10.13873/J.1000-9787(2023)07-0015-03

• 石墨烯
• 自旋过滤
• 磁阻传感器
• 第一性原理
• 磁阻变化率

Ni(111)/石墨烯异质外延结构具有完美的自旋过滤效应，可应用于高性能微纳磁阻传感器的研制。然而，高质量Ni(111)/石墨烯薄膜的制备及其磁阻传感器研究还不够完善。基于铁磁衬底上石墨烯生长机理，通过调控石墨烯的成核、晶畴取向、碳偏析等基元过程，实现了高质量Ni(111)/石墨烯薄膜的制备，石墨烯样品层数均匀、表面平整，无明显缺陷。同时，通过第一性原理仿真，分析了不同材料体系对石墨烯磁传感器敏感效应的影响规律，研究表明，Ni(111)/石墨烯/Ni(111)材料体系具有较高的磁阻变化率，适用于后续磁传感器的研发。

• 单位
  国防科技大学