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摘要
采用Al助熔剂法成功制备出高质量LaB6单晶,系统地研究了不同升降温速率对LaB6单晶生长的影响,确定了升降温速率对于LaB6单晶形状及尺寸的调控规律:在100℃/h升温,110℃/h降温速率条件下生长出的针状LaB6单晶比例最大;而在100℃/h升温,90℃/h降温速率条件下生长出的针状LaB6单晶尺寸最大,可达7 mm×0.133 mm×0.133 mm。同时,热电子发射性能测试表明制备的LaB6单晶具有良好的热电子发射性能。
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采用Al助熔剂法成功制备出高质量LaB6单晶,系统地研究了不同升降温速率对LaB6单晶生长的影响,确定了升降温速率对于LaB6单晶形状及尺寸的调控规律:在100℃/h升温,110℃/h降温速率条件下生长出的针状LaB6单晶比例最大;而在100℃/h升温,90℃/h降温速率条件下生长出的针状LaB6单晶尺寸最大,可达7 mm×0.133 mm×0.133 mm。同时,热电子发射性能测试表明制备的LaB6单晶具有良好的热电子发射性能。
