三苯胺-芴-苯并咪唑低带隙三元共聚物、电存储器件及其制备

作者：汪成; 虢德超; 马东阁; 张洪岩; 代岩峰; 常海洋; 孙治尧; 乔现峰; 王淑红

来源：2020-07-10, 中国, ZL202010663310.7.

本发明属于有机电存储材料的技术领域,公开了三苯胺-芴-苯并咪唑低带隙三元共聚物、电存储器件及其制备。所述低带隙三元共聚物具有以下结构,其中,R为烷氧基；R1为烷基；m为20至300的整数；n为20至300的整数。电存储器件包括有机层,有机层为所述低带隙三元共聚物；还包括衬底,阴极和阳极。本发明还公开了低带隙三元共聚物和电存储器件的制备方法。本发明的三元共聚物具有低能带隙,较强空穴传输,能够提高电存储器件的性能。制备的电存储器件开启电压低,能耗小,能够延长器件寿命,开关电流比高,大大提高了存储密度,可进行多次循环读写,性能优良。

• 单位
  黑龙江大学; 华南理工大学