Ⅲ族氮化物半导体异质结构中载流子的量子输运和自旋性质

作者：唐宁; 段俊熙; 张姗; 许福军; 王新强; 沈波

来源：中国科学:物理学 力学 天文学 , 2013, (10): 1176-1187.

• 宽禁带半导体
• 输运
• 自旋 wide bandgap semiconductor
• transport
• spin

Ⅲ族氮化物半导体具有宽的直接带隙,很强的极化电场,优异的物理特性,是发展高频、高温、高功率电子器件和光电子器件的优选材料.同时,Ⅲ族氮化物半导体有很长的电子自旋弛豫时间以及很高的居里温度,也成为近年来半导体自旋电子学研究的重要材料体系之一.本文介绍了用量子输运和自旋光电流方法对GaN基异质结构中载流子的量子输运和自旋性质的研究进展.对Ⅲ族氮化物半导体中的能带结构,子带占据和散射,自旋分裂及自旋轨道耦合机制等进行了讨论.

• 单位
  人工微结构和介观物理国家重点实验室; 北京大学; 物理学院