c轴取向钒酸铋铁电薄膜的制备及电学性能

作者：谢伟; 唐晓山; 邹长伟

来源：材料研究与应用, 2016, 10(03): 176-180.

• 化学溶液沉积法
• 钒酸铋
• 择优取向
• 铁电薄膜

采用旋涂法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备Bi2VO5.5铁电薄膜,研究退火温度对薄膜物相结构、表面形貌、电学性能的影响.500,550,600,700℃退火所得薄膜均表现出c轴取向,且c轴取向度随温度升高而增加,同时薄膜的介电常数增加,介电损耗略有降低,低频色散现象略有减弱.700℃退火所得Bi2VO5.5薄膜剩余极化值约为1.71μC/cm2,矫顽场为127.8kV/cm,且薄膜在可见光区有较好的吸收,光学带隙约为2.41eV.

• 单位
  岭南师范学院