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摘要
本发明公开了用于紫外波段的金属掺氧化镓透明导电薄膜及其制备方法。该制备方法先在基底上生长一层接触层薄膜,接触层薄膜生长后经由快速热退火炉400℃～600℃氮氧氛围下退火；利用磁控溅射氩气条件下溅射生长第一层Ga2O3薄膜；利用磁控溅射氩气条件下溅射生长掺杂薄膜；利用磁控溅射氩气条件下溅射生长第二层Ga2O3薄膜,生长完成的薄膜整体经由快速热退火炉500‐600℃氮氧氛围下退火,薄膜材料之间渗透扩散熔合,形成金属掺杂Ga2O3薄膜。本发明的透明导电薄膜在ITO透明导电薄膜基础上,具有更大的薄膜光学透过率和更低的薄膜方块电阻。
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