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摘要
本发明公开了多区域微分负阻特性的氮化镓基共振隧穿二极管及制作方法,主要解决现有氮化镓共振隧穿二极管难以实现多区域微分负阻特性、串联集成度低和微分负阻特性一致性差的问题。其自下而上包括衬底、GaN外延层、发射极欧姆接触层、多层复合有源区、集电极欧姆接触层和集电极电极；多层复合有源区是由N层有源区和N-1层n～+GaN串联层交替排列组成的复合结构；每一层有源区自下而上包括隔离层、势垒层、量子阱层、势垒层、隔离层；势垒层均采用宽带隙半导体材料。本发明具有多个峰值电流相同的微分负阻效应,器件性能稳定,微分负阻效应一致性好,可靠性和集成度高,能消除平面串联工艺的金属互联,可用于多值逻辑数字电路和存储器中。
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