一种硒化钼半导体薄膜及其制备方法和应用

来源：中国钼业, 2021, 45(03): 51.

<正>专利申请号:CN201810690566公开号:CN109148158A申请日:2018.06.28公开日:2019.01.04申请人:广东工业大学本发明公开了一种硒化钼半导体薄膜及其制备方法和应用,所述硒化钼半导体薄膜由将混合溶剂、硒源、钼源以及还原性试剂混合均匀制得反应前驱液,再将FTO导电玻璃与反应前驱液充分反应后制得。其制备方法包括如下步骤:S1:将混合溶剂、硒源、钼源以及还原性试剂混合均匀制得反应前驱液;