Au/Zn/Au/p-InP欧姆接触的界面研究

作者：李萍; 刘诗嘉; 陈江峰; 庄春泉; 黄杨程; 张燕; 龚海梅

来源：半导体技术, 2005, (10): 24-27.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2005.10.005

• 俄歇电子能谱
• X射线光电子能谱
• 欧姆接触
• 界面 AES
• XPS
• ohmic contact
• interface

研究了离子束溅射制备的Au/Zn/Au/p-InP欧姆接触的界面特性。在480℃退火15s比接触电阻达到最小,为1.4×10-5Ω·cm2。利用俄歇电子能谱(AES)和X射线光电子能谱(XPS)研究了接触界面的冶金性质。实验结果表明,在室温下InP中的In就可以扩散到接触的表面,退火后可与Au形成合金。退火后,Zn的扩散可以在p-InP表面形成重掺杂层,从而降低接触势垒高度,减小势垒宽度,有助于欧姆接触的形成;在接触与p-InP的界面产生一个P聚集区,同时Au与InP反应生成Au2p3,其P的2p3/2电子的结合能约为129.2 eV。

• 单位
  中国科学院上海技术物理研究所; 传感技术国家重点实验室