基于密度泛函第一性原理计算，系统研究了Mg12O12笼状团簇组装一维纳米线及其掺杂3d族元素体系的几何结构与电子结构.结果表明：Mg12O12团簇组装一维纳米线为非磁性半导体，带隙值为3.16 eV;掺杂Sc和V后，体系由半导体转变为金属；掺杂Ti、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu后体系仍然保持半导体特性、但带隙值明显减小，而掺杂Zn时带隙值变化不大；掺杂V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu后纳米线具有磁性.
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