一种高精度电流型CMOS带隙基准电压源设计

作者：崔嘉杰; 罗萍

来源：微电子学, 2014, 44(04): 416-419.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.2014.04.002

• 基准电压源
• 线性补偿
• 电源抑制比

基于CSMC 0.5μm标准CMOS工艺,设计了一种高精度电流型CMOS带隙基准电压源。仿真结果表明,温度在-40℃125℃范围内,基准输出电压的温度系数为1.3×10-5/℃;电源电压在3.35 V之间变化时,基准输出电压变化为0.076 mV,电源抑制比PSRR为-89 dB。同时,该电路包含修调电路,可在不同工艺角下进行校正,具有温度系数低、电源抑制比高、精度高等特点。

• 单位
  电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室