界面工程调控GaN基异质结界面热传导性能研究

作者：王权杰; 邓宇戈; 王仁宗; 刘向军^*

来源：Acta Physica Sinica, 2023, 72(22): 218-232.

• GaN
• 界面缺陷
• 界面热导
• 声子输运

GaN以其宽禁带、高电子迁移率、高击穿场强等特点在高频大功率电子器件领域有着巨大的应用前景.大功率GaN电子器件在工作时存在明显的自热效应,产生大量焦耳热,散热问题已成为制约其发展的瓶颈.而GaN与衬底间的界面热导是影响GaN电子器件热管理全链条上的关键环节.本文首先讨论各种GaN界面缺陷及其对界面热导的影响;然后介绍常见的界面热导研究方法,包括理论分析和实验测量;接着结合具体案例介绍近些年发展的GaN界面热导优化方法,包括常见的化学键结合界面类型及范德瓦耳斯键结合的弱耦合界面;最后总结全文,为GaN器件结构设计提供有价值参考.

• 单位
  纤维材料改性国家重点实验室; 东华大学