P-flash串扰机制和解决方案的研究

作者：田志; 殷冠华; 顾珍; 钟林健; 秦佑华; 陈昊瑜

来源：中国集成电路, 2018, Z1: 27-40.

• 闪存
• 浮栅极
• 2T闪存存储单元
• 选择管
• 存储管
• 串扰

随着集成电路技术的快速发展,通过对作为将来低功耗和高速度读取的重要候选者的2T P-flash串扰结果的分析,从结构和功能方面出发找寻串扰产生的机制,进而在工艺和设计上提出相应