本发明公开的一种基于硅通孔的三维耦合器及其制备方法,涉及三维集成电路领域,主要通过采用硅通孔三维集成技术及多枝节结构,并结合反应离子腐蚀技术、电化学淀积、等离子体增强化学气相淀积及化学气相淀积法等工艺方法,有效地减小了互连线长度和芯片面积、提高了数据传输带宽和集成度、实现了同时提高集成电路的性能、降低功耗、减小重量和体积的目的,解决了现有技术存在的占用芯片面积大,耦合度、定向性等指标可调空间小,尤其是隔离度难以提高、难以满足集成化要求的缺陷。
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