基于GaAs HBT的低相噪压控振荡器设计

作者：陈志巍; **畅; 毛小庆; 高海军^*

来源：杭州电子科技大学学报(自然科学版), 2021, 41(02): 8-13.

DOI：10.13954/j.cnki.hdu.2021.02.002

• GaAs HBT
• 压控振荡器
• 变容管阵列
• 相位噪声

基于厦门三安2μm GaAs HBT工艺,设计了一种宽频带、低相噪的压控振荡器。采用差分Colpitts结构,利用二极管组成变容管阵列,实现振荡器输出频率的调谐效果,并完成流片和测试。为了优化相位噪声,对片上螺旋电感进行几何尺寸优化,片上差分螺旋电感的品质因数在1.6 GHz处大于22,相应的VCO实现了较低的相位噪声。为了驱动下一级电路,使用带有较高增益的缓冲器Buffer;牺牲一小部分相位噪声性能的情况下,提高了VCO的输出功率。测试结果表明,压控振荡器的频率可调谐范围为1.36～1.62 GHz,相位噪声范围为-135.10～-123.50 dBc/Hz@1MHz,最大输出功率为14.37 dBm。在振荡频率为1.6 GHz时,相位噪声为-128.65 dBc/Hz@1MHz。

• 单位
  杭州电子科技大学