氧化物薄膜晶体管的稳定性的研究

作者：兰林锋; 肖鹏; 林振国; 王磊; 彭俊彪

来源：中国真空学会, 中国广东广州.

• 薄膜晶体管
• 氧化物半导体
• AMOLED
• 显示

基于氧化物半导体的薄膜晶体管(OxideTFTs)以其优异的性能被认为是在AMOLED显示中具有很大的应用潜力一种TFT[1,2]。与传统的硅基TFT相比,氧化物TFT具有载流子迁移率较高、电学性能均一性好、对可见光透明、工艺温度低、成本低以及可大面积制备等优点。随着研究的不断深入,氧化物TFT的迁移率、开关比、阈值电压等方面的性能已经基本满足驱动OLED的需要,但是氧化物TFT的电学、光学稳定性是目前产业化面临的主要问题。本文研究了Ta掺杂对InZnO(IZO)半导体的影响[3]。并以此Ta-IZO(TIZO)作为沟道层、Al为栅极、Al_2O_3为栅绝缘层、ITO为源漏电极制备了底栅结构的...

• 单位
  发光材料与器件国家重点实验室; 华南理工大学