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摘要
本设计在FinFET器件结构的标准CMOS工艺下进行，实现一种集成在片上系统内部的温度传感器。为解决寄生PNP管电流增益过小对基射电压的影响，温度传感电路基于寄生垂直NPN三极管进行设计，以动态元件匹配、斩波等技术减少电路失调，模数转换采用相关双采样技术的单环二阶单比特量化的电容型Σ△调制器结构，以提高对系统噪声的抑制能力。该温度传感器集成在片上系统内部，实现对片上系统温度的监控。电路仿真及芯片测试结果表明，该温度传感器在-55℃至+125℃的温度范围内，电路仿真精度为±0.15℃，芯片测试精度为±1.5℃。
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