ESD与短脉冲EOS失效的微观形态分析及验证

作者：龚瑜; 黄彩清; 吴凌

来源：半导体技术, 2019, 44(01): 58-64.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.01.010

• 过电应力(EOS)
• 静电放电(ESD)
• 聚焦离子束(FIB)
• 失效分析
• 芯片去层处理

静电放电(ESD)和过电应力(EOS)是引起芯片现场失效的最主要原因,这两种相似的失效模式使得对它们的失效机理的判断十分困难,尤其是短EOS脉冲作用时间只有几毫秒,造成的损坏与ESD损坏很相似。因此,借助扫描电子显微镜(SEM)和聚焦离子束(FIB)等成像仪器以及芯片去层处理技术分析这两种失效机理的差别非常重要。通过实例分析这两种失效的机理及微观差别,从理论角度解释ESD和EOS的失效机理,分析这两种失效在发生背景、失效位置、损坏深度和失效路径方面的差异,同时对这两种失效进行模拟验证。这种通过失效微观形态进行研究的方法,可以实现失效机理的甄别,对于提高ESD防护等级和EOS防护能力有着重要的参考作用。

• 单位
  深圳赛意法微电子有限公司