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摘要
分布反馈(DFB)半导体激光器是现代光通信系统及红外探测中核心光源器件,外延结构一般由光栅材料层和量子阱材料层两大部分组成,其中光栅材料层中Bragg光栅制作质量的好坏对器件阈值和单模特性有直接影响。本文通过使用电子束光刻技术制作了高质量的Bragg光栅,较全息光刻技术所制光栅占空比均匀性由14.3%提高到了2.9%,改善了光栅材料层的质量,阈值电流标准差由0.47降至0.32,边模抑制比标准差由5.26降至0.72,提高了器件一致性,单片成品率提高了近10%。
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分布反馈(DFB)半导体激光器是现代光通信系统及红外探测中核心光源器件,外延结构一般由光栅材料层和量子阱材料层两大部分组成,其中光栅材料层中Bragg光栅制作质量的好坏对器件阈值和单模特性有直接影响。本文通过使用电子束光刻技术制作了高质量的Bragg光栅,较全息光刻技术所制光栅占空比均匀性由14.3%提高到了2.9%,改善了光栅材料层的质量,阈值电流标准差由0.47降至0.32,边模抑制比标准差由5.26降至0.72,提高了器件一致性,单片成品率提高了近10%。
