波长延伸(1.7～2.7μm)InGaAs高速光电探测器的研制

作者：张永刚; 顾溢; 王凯; 李成; 李爱珍; 郑燕兰

来源：红外与激光工程, 2008, S3: 38-41.

• 光电探测器
• 化合物半导体
• 铟镓砷
• 气态源分子束外延 Photodetector
• Compound semiconductor
• InGaAs
• Gas source molecular beam epitaxy

采用气态源分子束外延方法和化合物半导体工艺研制了波长延伸的InGaAs探测器,其室温下的截止波长已由1.7μm拓展至2.7μm。对此探测器系列的特性进行了细致的测量表征,结果表明此类探测器十分适合在室温条件下工作,且在热电制冷温度下其性能可大为改观。瞬态特性测量结果表明此探测器系列可在高速下工作,实测响应速度已达数十ps量级,可以满足此波段激光雷达等方面的需要。

• 单位
  中国科学院上海微系统与信息技术研究所; 信息功能材料国家重点实验室