双极型晶体管制造工艺SOD技术研究

作者：任萍萍

来源：集成电路应用, 2018, 35(06): 36-40.

DOI：10.19339/j.issn.1674-2583.2018.06.011

• 集成电路制造
• 双极型晶体管
• 旋转涂源工艺
• 炉管扩散工艺
• 挤压电阻
• PCM

有两种不同的双极晶体管NPN和PNP,NPN发射极emitter的工艺控制决定了晶体管的结深,在双极性晶体管制造工艺中是非常重要的,发射结的深浅和工艺质量决定了双极性晶体管的很多重要参数,如晶体管的放大能力,相关耐压的高低,漏电大小,是NPN晶体管应用的重要表征参数。在NPN工艺过程中,同时也可以形成emitter发射区(SN)在base基区(SP)的SP挤压电阻,该电阻值比较大,基本上在高阻KΩ级别。该电阻可以表征在工艺过程中NPN管base基区的控制和emitter发射区在base基区中推进的最终结深,是NPN管常规监控的一个重要参数,在启动电路中和大电阻设计需要中有着普遍的应用。有时SP pinched电阻的敏感度对于emitter发射区在base基区的结深和浓度表征高于NPN晶体管的相关电压和漏电测试,因此也常常设计来监控NPN制造工艺。研究NPN管制造工艺中发射极的SOD技术,为解决产品问题提供指导。

• 单位
  上海先进半导体制造股份有限公司