烧结工艺对薄片单晶硅太阳电池弯曲的影响

作者：孙振华; 杨德仁; 朱鑫; 汪雷; 李晓强; 曾俞衡; 阙端麟

来源：太阳能学报, 2009, (05): 615-618.

• 单晶硅
• 太阳电池
• 弯曲 monocrystalline silicon
• solar cell
• bow

通过在快速热处理(Rapid Thermal Processor,RTP)炉中模拟铝背烧结过程,研究了升温速率、烧结温度和降温速率等烧结工艺参数对薄片单晶硅太阳电池弯曲的影响。结果显示,增加铝熔化前和减少铝熔化后的处理时间、加快降温以及降低烧结温度都能减小电池片弯曲。这主要是由于这些烧结工艺参数影响了铝层的致密度和降温过程中AlSi熔体的过冷所致。在此基础上得出了减小电池片弯曲的合理烧结工艺。

• 单位
  硅材料国家重点实验室