p型Na掺杂ZnMgO薄膜的光电导性能

作者：薛雅; 叶志镇; 陈凌翔; 叶春丽

来源：材料科学与工程学报, 2013, (05): 632-634.

DOI：10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2013.05.001

• Na掺杂
• p型ZnMgO
• 光电导 Na doped
• p-type ZnMgO
• photocurrent

采用脉冲激光沉积(PLD)方法在石英衬底上制备p型Na掺杂ZnMgO薄膜,薄膜在氮气气氛中600℃退火60s,具有较好的光电性能。在室温下分别用波长254nm的紫外光和波长630nm的红色激光对样品进行了光电导性能测试。两种光照下,光电流均瞬间上升,且光响应度与外加偏压具有线性相关性。紫外光照下p型Na掺杂ZnMgO薄膜的光电流变化比红色激光照射下要显著。

• 单位
  浙江大学; 硅材料国家重点实验室